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Precursor de Silicio Avanzado para la Fabricación de Semiconductores - Bdeas C8h22n2si
US$ 5,00
200 Piezas
Precio de muestra:US$5.00/pieza.Solicitar muestra
Perfil del producto
Personalización
DisponibleNo CAS.
27804-64-4Fórmula
C8h22n2siNo. de Modelo.
C8h22n2siEINECS
631-070-6Proceso de dar un título
ALCANZARProtección del medio ambiente
SíApariencia
LíquidoColor
BlancoEspecificación
200LMarca Comercial
zydOrigen
ShanghaiCaracterísticas principales
Deposición por capas atómicas a baja temperatura: Adecuado para la deposición por capas atómicas de películas de silicato de hafnio a bajas temperaturas.
Excelente capacidad de ajuste: Permite un excelente ajuste de la composición de las películas de HfSiOx.
Versátil deposición de películas: Se utiliza para la deposición por capas atómicas de películas de SiO2, HfO2 o HfSiOx utilizando ozono.
Reacción hidrolítica rápida: Reacciona rápidamente con la humedad, el agua y los disolventes próticos.
Certificado REACH: El producto cumple con la certificación REACH y los estándares de protección ambiental.
Perfil de la empresa
Shanghai Zhongyida New Materials Co., LtdShanghai, China
CertificadoTipo de Negocio: Empresa ComercialAño de Exportación: 2024-07-23Puerto Más Cercano: ShanghaiTiempo promedio de respuesta: ≤5.55hCondiciones de Pago: LC, T/T, D/PTérminos Comerciales Internacionales(Incoterms): FOB, EXW, CIF, DDP
Acerca de nuestra fábrica & Antecedentes comerciales
DirecciónShanghai, China
Capital Registrado10,000,000 RMB
Plazo de Ejecución MedioPlazo de Ejecución de Temporada Alta: 1-3 Meses, Tiempo de Entrega Fuera de Temporada, 1-3 Meses
Nuestra capacidad de producción & Experiencia técnica
Productos PrincipalesGas semiconductor, gas médico, gas industrial, precursores, gas especial, gas raro, gas xenón, gas helio, N2o
Nuestra Experiencia en la Industria& Registro Comercial Global
Año de Establecimiento2011-03-16
Mercados PrincipalesAmérica del Norte, Europa del Este, Sudeste de Asia, Asia Oriental, Europa Occidental, Medio Oriente, Sudamerica, África
Producto Q&A
Q:¿Este producto es adecuado para la deposición de capas atómicas (ALD) a baja temperatura?
A:
Sí, se ha estudiado y evaluado como un precursor de silicio en fase líquida para la deposición de capas atómicas a baja temperatura.
Q:¿Qué películas se pueden depositar utilizando este precursor?
A:
Es adecuado para depositar películas de SiO2, HfO2 o HfSiOx cuando se utiliza con ozono.
Q:¿Cómo reacciona el BDEAS con la humedad?
A:
Reacciona rápidamente con la humedad, el agua y los disolventes próticos.
Q:¿Este producto cumple con las normas medioambientales?
A:
Sí, está certificado según REACH y cumple con los requisitos de protección ambiental.
Q:¿Cuál es el número CAS de este precursor?
A:
El número CAS es 27804-64-4.
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*A:Shanghai Zhongyida New Materials Co., Ltd
Shanghai Zhongyida New Materials Co., Ltd*Contenido:
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