Sistema de grabado por iones reactivos, grabado de materiales semiconductores a base de silicio, grabado a temperatura normal, análisis de fallos de RIE

Tamaño de muestra personalizable: Admite tamaños de 4, 8 y 12 pulgadas, así como diversas opciones de tamaños pequeños personalizables.

Opciones de potencia de radiofrecuencia flexibles: La potencia del plasma de radiofrecuencia oscila entre 300 W y 1000 W, con múltiples configuraciones opcionales.

Configuración de múltiples gases: Admite hasta 9 gases de proceso simultáneamente, con opciones personalizables para los canales de gas.

Grabado versátil de materiales: Adecuado para silicio, materiales III-V, II-VI, metales, materiales orgánicos y materiales bidimensionales como el grafeno.

Cobertura de garantía de 1 año: Incluye una garantía de 12 meses, con reemplazo de piezas a precio de costo después de la expiración de la garantía.

Certificación CE: El producto cumple con los estándares de seguridad y calidad CE para la fabricación de semiconductores.

Control totalmente automático: Cuenta con un sistema de control totalmente automático con un solo botón para facilitar su operación.